N型金属氧化物半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910049286.1

申请日：

2009-04-14

公开(公告)号：

CN101866950A

公开(公告)日：

2010-10-20

发明(设计)人：

朱志炜廖金昌

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L27105 H01L21761 H01L2360

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101628228712 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009100492861 申请公布日:20101020
2010-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101020715117 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009100492861 申请日:20090414
2010-10-20	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[2]

金属氧化物半导体器件和制作方法 [P].

伊藤明 .

中国专利 :CN103904116B ,2014-07-02

[3]

金属氧化物半导体器件与其制作方法 [P].

孙鹤 ;

王加坤 .

中国专利 :CN114171577A ,2022-03-11

[4]

金属氧化物半导体器件与其制作方法 [P].

孙鹤 ;

王加坤 .

中国专利 :CN114171577B ,2025-08-01

[5]

互补金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN101572263B ,2009-11-04

[6]

平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

陈洪宁 ;

方绍明 ;

刘鹏飞 ;

王心强 ;

陈勇 .

中国专利 :CN101459084B ,2009-06-17

[7]

平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

陈洪宁 ;

方绍明 ;

刘鹏飞 ;

王新强 ;

陈勇 .

中国专利 :CN101350309B ,2011-04-20

[8]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

司伟 ;

亚历山大·卡尔尼茨基 .

中国专利 :CN119451154A ,2025-02-14

[9]

金属氧化物半导体器件 [P].

苗跃 ;

萧经华 ;

李秋敏 ;

赵冬芹 ;

曹廷 .

中国专利 :CN102569400A ,2012-07-11

[10]

金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

李永顺 ;

金华俊 ;

宋亮 ;

安丽琪 ;

罗琳 .

中国专利 :CN118610251A ,2024-09-06

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