金属氧化物半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310206413.4

申请日：

2023-03-06

公开(公告)号：

CN118610251A

公开(公告)日：

2024-09-06

发明(设计)人：

李永顺金华俊宋亮安丽琪罗琳

申请人：

无锡华润上华科技有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/06

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

蔡秋菊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20230306
2024-09-06	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体器件 [P].

苗跃 ;

萧经华 ;

李秋敏 ;

赵冬芹 ;

曹廷 .

中国专利 :CN102569400A ,2012-07-11

[2]

金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

黄海燕 ;

张日林 ;

于绍欣 .

中国专利 :CN117727634B ,2024-05-07

[3]

金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

黄海燕 ;

张日林 ;

于绍欣 .

中国专利 :CN117727634A ,2024-03-19

[4]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101621071B ,2010-01-06

[5]

金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102544096A ,2012-07-04

[6]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[7]

金属氧化物半导体器件的制备方法 [P].

罗超 ;

赵亮 ;

刘志鹏 ;

张青 .

中国专利 :CN119815858A ,2025-04-11

[8]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

上田岳洋 .

中国专利 :CN1213184A ,1999-04-07

[9]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

徐秋霞 ;

胡正明 ;

陈凯 .

中国专利 :CN109817585A ,2019-05-28

[10]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

叶好华 ;

何学缅 ;

李煜 .

中国专利 :CN101154682A ,2008-04-02

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