金属氧化物半导体器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410175676.8
申请日
2024-02-08
公开(公告)号
CN117727634B
公开(公告)日
2024-05-07
发明(设计)人
黄海燕 张日林 于绍欣
申请人
粤芯半导体技术股份有限公司
申请人地址
510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L21/28 H01L29/40 H01L29/423 H01L29/78
代理机构
苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502
代理人
李洋;李丹
法律状态
公开
国省代码
广东省 广州市
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共 50 条
[1]
金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P]. 
黄海燕 ;
张日林 ;
于绍欣 .
中国专利 :CN117727634A ,2024-03-19
[2]
金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P]. 
刘竹 ;
马万里 .
中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26
[3]
金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P]. 
李永顺 ;
金华俊 ;
宋亮 ;
安丽琪 ;
罗琳 .
中国专利 :CN118610251A ,2024-09-06
[4]
金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P]. 
叶好华 ;
何学缅 ;
李煜 .
中国专利 :CN101154682A ,2008-04-02
[5]
金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN102544096A ,2012-07-04
[6]
金属氧化物半导体器件 [P]. 
苗跃 ;
萧经华 ;
李秋敏 ;
赵冬芹 ;
曹廷 .
中国专利 :CN102569400A ,2012-07-11
[7]
金属氧化物半导体器件的制备方法 [P]. 
罗超 ;
赵亮 ;
刘志鹏 ;
张青 .
中国专利 :CN119815858A ,2025-04-11
[8]
金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101621071B ,2010-01-06
[9]
金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P]. 
上田岳洋 .
中国专利 :CN1213184A ,1999-04-07
[10]
金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P]. 
徐秋霞 ;
胡正明 ;
陈凯 .
中国专利 :CN109817585A ,2019-05-28