互补金属氧化物半导体与其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410524514.7

申请日：

2014-09-30

公开(公告)号：

CN105448918A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

赖建铭黄建中曾于庭蔡雅卉王裕平

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2949 H01L218238 H01L2128

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	公开	公开
2017-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101745235341 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2014105245147 申请日:20140930
2020-05-12	授权	授权

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

[2]

互补金属氧化物半导体结构的制作方法 [P].

孙武 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN102130056A ,2011-07-20

[3]

互补金属氧化物半导体结构的制作方法 [P].

黄敬勇 ;

韩秋华 ;

王新鹏 ;

孙武 .

中国专利 :CN102054778A ,2011-05-11

[4]

互补金属氧化物半导体结构及其制作方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN101188248B ,2008-05-28

[5]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[6]

高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作方法和系统 [P].

李如东 .

中国专利 :CN102810514B ,2012-12-05

[7]

具有双金属栅极的互补金属氧化物半导体元件的制作方法 [P].

林建廷 ;

程立伟 ;

许哲华 ;

马光华 ;

杨进盛 .

中国专利 :CN101494199A ,2009-07-29

[8]

互补金属氧化物半导体输出电路 [P].

木村亮平 .

中国专利 :CN1378287A ,2002-11-06

[9]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[10]

N型晶体管及其制作方法、互补金属氧化物半导体 [P].

李勇 .

中国专利 :CN104217955A ,2014-12-17

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