互补金属氧化物半导体输出电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02108532.3

申请日：

2002-03-27

公开(公告)号：

CN1378287A

公开(公告)日：

2002-11-06

发明(设计)人：

木村亮平

申请人：

申请人地址：

日本千叶县千叶市

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2710

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯;梁永

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-12-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2002-11-06	公开	公开

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

[2]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[3]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[4]

设有互补金属氧化物半导体驱动电路的半导体装置 [P].

新居浩二 .

中国专利 :CN1266839C ,2004-05-12

[5]

互补金属氧化物半导体开关 [P].

陈越洋 ;

王兴华 ;

仲顺安 ;

赵显利 .

中国专利 :CN101783667A ,2010-07-21

[6]

互补金属氧化物半导体电路及其制造方法 [P].

卢径奉 ;

李美梨 ;

罗相君 ;

李宪晟 .

中国专利 :CN103915487B ,2014-07-09

[7]

互补金属氧化物半导体及其组合元件 [P].

胡珍仪 ;

孙文堂 .

中国专利 :CN1299363C ,2004-11-24

[8]

互补金属氧化物半导体固态成像装置 [P].

丸山康 .

中国专利 :CN101894850B ,2010-11-24

[9]

互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器电路装置 [P].

柳凡善 ;

林奎昊 ;

姜汰竟 .

中国专利 :CN104579309A ,2015-04-29

[10]

互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器电路装置 [P].

柳凡善 ;

林奎昊 ;

姜汰竟 .

中国专利 :CN113193866A ,2021-07-30

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