互补金属氧化物半导体开关

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910077150.1

申请日：

2009-01-16

公开(公告)号：

CN101783667A

公开(公告)日：

2010-07-21

发明(设计)人：

陈越洋王兴华仲顺安赵显利

申请人：

申请人地址：

100081 北京市海淀区中关村南大街5号

IPC主分类号：

H03K17687

IPC分类号：

H01L27092 H01L23522

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

黄志华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-21	公开	公开
2013-09-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101656467539 IPC(主分类):H03K 17/687 专利申请号:2009100771501 申请公布日:20100721
2011-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效专利申请号:2009100771501 申请日:20090116 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101084087889 IPC(主分类):H03K 17/687

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[2]

体互补金属氧化物半导体射频开关 [P].

陈颖 ;

郭哲均 ;

T·常 .

韩国专利 :CN118554929A ,2024-08-27

[3]

互补金属氧化物半导体成像器件 [P].

詹弗瑞·J·扎尔诺斯基 ;

马修·A·培斯 .

中国专利 :CN1200555C ,2001-05-02

[4]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

[5]

互补金属氧化物半导体比较器 [P].

吴建辉 ;

吴光林 ;

茆邦琴 ;

饶进 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1622459A ,2005-06-01

[6]

互补金属氧化物半导体输出电路 [P].

木村亮平 .

中国专利 :CN1378287A ,2002-11-06

[7]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[8]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[9]

互补金属氧化物半导体及其组合元件 [P].

胡珍仪 ;

孙文堂 .

中国专利 :CN1299363C ,2004-11-24

[10]

互补金属氧化物半导体固态成像装置 [P].

丸山康 .

中国专利 :CN101894850B ,2010-11-24

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