互补金属氧化物半导体比较器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410065841.7

申请日：

2004-12-22

公开(公告)号：

CN1622459A

公开(公告)日：

2005-06-01

发明(设计)人：

吴建辉吴光林茆邦琴饶进时龙兴

申请人：

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

IPC主分类号：

H03K524

IPC分类号：

H03F345 H03M134

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

陆志斌

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101192127301 IPC(主分类):H03K 5/24 专利号:ZL2004100658417 申请日:20041222 授权公告日:20061115 终止日期:20101222
2006-11-15	授权	授权
2005-06-01	公开	公开
2005-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[2]

互补金属氧化物半导体成像器件 [P].

詹弗瑞·J·扎尔诺斯基 ;

马修·A·培斯 .

中国专利 :CN1200555C ,2001-05-02

[3]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

[4]

互补金属氧化物半导体开关 [P].

陈越洋 ;

王兴华 ;

仲顺安 ;

赵显利 .

中国专利 :CN101783667A ,2010-07-21

[5]

互补金属氧化物半导体双模环形计数器 [P].

王振华 .

中国专利 :CN1292948A ,2001-04-25

[6]

互补金属氧化物半导体输出电路 [P].

木村亮平 .

中国专利 :CN1378287A ,2002-11-06

[7]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[8]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[9]

互补金属氧化物半导体及其组合元件 [P].

胡珍仪 ;

孙文堂 .

中国专利 :CN1299363C ,2004-11-24

[10]

互补金属氧化物半导体固态成像装置 [P].

丸山康 .

中国专利 :CN101894850B ,2010-11-24

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