互补金属氧化物半导体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680046295.X

申请日：

2006-12-19

公开(公告)号：

CN101326631B

公开(公告)日：

2008-12-17

发明(设计)人：

欧阳齐庆马西莫·菲谢蒂

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2904 H01L2910

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20061219 授权公告日:20110330 终止日期:20191219
2017-12-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8238 登记生效日:20171208 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约
2008-12-17	公开	公开
2017-12-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8238 登记生效日:20171208 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2011-03-30	授权	授权
2009-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

[2]

互补金属氧化物半导体开关 [P].

陈越洋 ;

王兴华 ;

仲顺安 ;

赵显利 .

中国专利 :CN101783667A ,2010-07-21

[3]

互补金属氧化物半导体结构及其制作方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN101188248B ,2008-05-28

[4]

互补金属氧化物半导体比较器 [P].

吴建辉 ;

吴光林 ;

茆邦琴 ;

饶进 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1622459A ,2005-06-01

[5]

互补金属氧化物半导体成像器件 [P].

詹弗瑞·J·扎尔诺斯基 ;

马修·A·培斯 .

中国专利 :CN1200555C ,2001-05-02

[6]

互补金属氧化物半导体输出电路 [P].

木村亮平 .

中国专利 :CN1378287A ,2002-11-06

[7]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[8]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[9]

互补金属氧化物半导体及其组合元件 [P].

胡珍仪 ;

孙文堂 .

中国专利 :CN1299363C ,2004-11-24

[10]

互补金属氧化物半导体固态成像装置 [P].

丸山康 .

中国专利 :CN101894850B ,2010-11-24

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