互补金属氧化物半导体结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010022701.7

申请日：

2010-01-12

公开(公告)号：

CN102130056A

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

孙武黄敬勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-20	公开	公开
2013-11-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101671450800 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010100227017 申请公布日:20110720
2011-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101102910841 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010100227017 申请日:20100112

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体结构的制作方法 [P].

黄敬勇 ;

韩秋华 ;

王新鹏 ;

孙武 .

中国专利 :CN102054778A ,2011-05-11

[2]

互补金属氧化物半导体结构及其制作方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN101188248B ,2008-05-28

[3]

互补金属氧化物半导体与其制作方法 [P].

赖建铭 ;

黄建中 ;

曾于庭 ;

蔡雅卉 ;

王裕平 .

中国专利 :CN105448918A ,2016-03-30

[4]

高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作方法和系统 [P].

李如东 .

中国专利 :CN102810514B ,2012-12-05

[5]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[6]

一种互补金属氧化物半导体器件结构的制作方法 [P].

吴永玉 ;

神兆旭 ;

何学缅 ;

居建华 .

中国专利 :CN102194752A ,2011-09-21

[7]

制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 [P].

黄敬勇 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102194751A ,2011-09-21

[8]

金属氧化物半导体管的制作方法 [P].

唐兆云 .

中国专利 :CN102569085A ,2012-07-11

[9]

用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法 [P].

金锋 ;

蔡莹 ;

钱文生 .

中国专利 :CN111383997A ,2020-07-07

[10]

互补型金属氧化物半导体结构的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

韩秋华 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN102097380A ,2011-06-15

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