一种互补金属氧化物半导体器件结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010124565.2

申请日：

2010-03-11

公开(公告)号：

CN102194752A

公开(公告)日：

2011-09-21

发明(设计)人：

吴永玉神兆旭何学缅居建华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092 H01L27105 H01L2704

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;顾珊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-21	公开	公开
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101141112468 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010101245652 申请日:20100311
2013-06-12	授权	授权
2013-02-13	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101511400808 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010101245652 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20130108

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体结构的制作方法 [P].

孙武 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN102130056A ,2011-07-20

[2]

互补金属氧化物半导体结构的制作方法 [P].

黄敬勇 ;

韩秋华 ;

王新鹏 ;

孙武 .

中国专利 :CN102054778A ,2011-05-11

[3]

互补金属氧化物半导体结构及其制作方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN101188248B ,2008-05-28

[4]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[5]

互补金属氧化物半导体与其制作方法 [P].

赖建铭 ;

黄建中 ;

曾于庭 ;

蔡雅卉 ;

王裕平 .

中国专利 :CN105448918A ,2016-03-30

[6]

制造具有互补金属氧化物半导体结构半导体器件的方法 [P].

安彦仁 .

中国专利 :CN1156902A ,1997-08-13

[7]

制作互补型金属氧化物半导体器件结构的方法 [P].

赵林林 ;

张力群 .

中国专利 :CN102299111B ,2011-12-28

[8]

互补金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN101572263B ,2009-11-04

[9]

互补金属氧化物半导体成像器件 [P].

詹弗瑞·J·扎尔诺斯基 ;

马修·A·培斯 .

中国专利 :CN1200555C ,2001-05-02

[10]

制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 [P].

黄敬勇 ;

韩秋华 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN102194750A ,2011-09-21

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