制作互补型金属氧化物半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010124506.5

申请日：

2010-03-11

公开(公告)号：

CN102194750A

公开(公告)日：

2011-09-21

发明(设计)人：

黄敬勇韩秋华王新鹏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L21318 H01L21316

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;顾珊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101141114040 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010101245065 申请日:20100311
2014-10-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101705827017 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010101245065 申请公布日:20110921
2013-02-13	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101512796080 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010101245065 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20130109
2011-09-21	公开	公开

共 50 条

[1]

制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 [P].

黄敬勇 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102194751A ,2011-09-21

[2]

制作互补型金属氧化物半导体器件结构的方法 [P].

赵林林 ;

张力群 .

中国专利 :CN102299111B ,2011-12-28

[3]

制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102194749A ,2011-09-21

[4]

制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102136455A ,2011-07-27

[5]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[6]

互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法 [P].

王文武 ;

陈世杰 .

中国专利 :CN101740570A ,2010-06-16

[7]

互补型金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

林宽容 ;

赵兴在 ;

朴大奎 ;

吕寅硕 .

中国专利 :CN1215554C ,2003-05-14

[8]

互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101330053A ,2008-12-24

[9]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[10]

互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和方法 [P].

B·杨 ;

X·李 ;

J·袁 .

中国专利 :CN104272452A ,2015-01-07

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