互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380023707.8

申请日：

2013-05-07

公开(公告)号：

CN104272452A

公开(公告)日：

2015-01-07

发明(设计)人：

B·杨 X·李 J·袁

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L2712 H01L2947 H01L2966 H01L2910

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

李小芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611961983 IPC(主分类):H01L 21/84 专利申请号:2013800237078 申请日:20130507
2022-04-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/84 申请日:20130507 授权公告日:20170426 终止日期:20210507
2017-04-26	授权	授权
2015-01-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[2]

互补金属氧化物半导体成像器件 [P].

詹弗瑞·J·扎尔诺斯基 ;

马修·A·培斯 .

中国专利 :CN1200555C ,2001-05-02

[3]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[4]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[5]

用于互补金属氧化物半导体（CMOS）隔离的结构和方法 [P].

杨海宁 .

中国专利 :CN113169122A ,2021-07-23

[6]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

[7]

互补金属氧化物半导体开关 [P].

陈越洋 ;

王兴华 ;

仲顺安 ;

赵显利 .

中国专利 :CN101783667A ,2010-07-21

[8]

用于射频（RF）电路的隔离型互补金属氧化物半导体（CMOS）器件 [P].

D·D·金 ;

C·H·芸 ;

J-H·J·兰 ;

N·S·穆达卡特 ;

金钟海 ;

M·M·诺瓦克 .

中国专利 :CN108140612A ,2018-06-08

[9]

制造具有互补金属氧化物半导体结构半导体器件的方法 [P].

安彦仁 .

中国专利 :CN1156902A ,1997-08-13

[10]

互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101330053A ,2008-12-24

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