用于互补金属氧化物半导体（CMOS）隔离的结构和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980077495.9

申请日：

2019-10-23

公开(公告)号：

CN113169122A

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

杨海宁

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L218238 H01L2978

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

郭星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-23	公开	公开
2021-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20191023

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和方法 [P].

B·杨 ;

X·李 ;

J·袁 .

中国专利 :CN104272452A ,2015-01-07

[2]

互补金属氧化物半导体开关 [P].

陈越洋 ;

王兴华 ;

仲顺安 ;

赵显利 .

中国专利 :CN101783667A ,2010-07-21

[3]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[4]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[5]

互补金属氧化物半导体结构的制作方法 [P].

孙武 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN102130056A ,2011-07-20

[6]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

亚历山大·赖茨尼赛克 ;

德文德拉·K·萨德纳 ;

刘孝诚 .

中国专利 :CN101055851B ,2007-10-17

[7]

用于射频（RF）电路的隔离型互补金属氧化物半导体（CMOS）器件 [P].

D·D·金 ;

C·H·芸 ;

J-H·J·兰 ;

N·S·穆达卡特 ;

金钟海 ;

M·M·诺瓦克 .

中国专利 :CN108140612A ,2018-06-08

[8]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[9]

互补金属氧化物半导体(CMOS)超声换能器及其形成方法 [P].

乔纳森·M·罗思伯格 ;

基思·G·菲费 ;

泰勒·S·拉尔斯顿 ;

格雷戈里·L·哈尔瓦特 ;

内华达·J·桑切斯 .

中国专利 :CN105307975B ,2016-02-03

[10]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

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