互补金属氧化物半导体(CMOS)超声换能器及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480015824.4

申请日：

2014-03-13

公开(公告)号：

CN105307975B

公开(公告)日：

2016-02-03

发明(设计)人：

乔纳森·M·罗思伯格基思·G·菲费泰勒·S·拉尔斯顿格雷戈里·L·哈尔瓦特内华达·J·桑切斯

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

G01N2924 B06B102

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

康建峰;李春晖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-03	公开	公开
2016-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101649080090 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2014800158244 申请日:20140313
2017-04-26	授权	授权

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

O·格卢斯陈克夫 ;

M·P·别良斯基 ;

J·A·曼德尔曼 ;

B·B·多里斯 .

中国专利 :CN1812101A ,2006-08-02

[2]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

亚历山大·赖茨尼赛克 ;

德文德拉·K·萨德纳 ;

刘孝诚 .

中国专利 :CN101055851B ,2007-10-17

[3]

互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片中的超声换能器及相关装置和方法 [P].

乔纳森·M·罗思伯格 ;

基思·G·菲费 ;

内华达·J·桑切斯 ;

苏珊·A·阿列 .

中国专利 :CN106659464A ,2017-05-10

[4]

半导体元件、互补金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

洪国信 .

中国专利 :CN101154594A ,2008-04-02

[5]

3D互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其形成方法 [P].

H·吉姆·富尔福德 ;

安东·J·德维利耶 ;

马克·加德纳 ;

丹尼尔·沙内穆加梅 ;

杰弗里·史密斯 ;

拉尔斯·利布曼 ;

苏巴迪普·卡尔 .

中国专利 :CN114902399A ,2022-08-12

[6]

一种互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

阿图尔·C·阿杰梅里 ;

安德里斯·布莱恩特 ;

珀西·V·吉尔伯特 ;

迈克尔·A·格里博尔尤克 ;

爱德华·P·马切耶夫斯基 ;

瑞尼·T·默 ;

什瑞什·那拉辛哈 .

中国专利 :CN1601725A ,2005-03-30

[7]

互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和方法 [P].

B·杨 ;

X·李 ;

J·袁 .

中国专利 :CN104272452A ,2015-01-07

[8]

互补金属氧化物半导体开关 [P].

陈越洋 ;

王兴华 ;

仲顺安 ;

赵显利 .

中国专利 :CN101783667A ,2010-07-21

[9]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[10]

互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101330053A ,2008-12-24

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