互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片中的超声换能器及相关装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580025730.X

申请日：

2015-04-17

公开(公告)号：

CN106659464A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

乔纳森·M·罗思伯格基思·G·菲费内华达·J·桑切斯苏珊·A·阿列

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

A61B800

IPC分类号：

B06B102 B81B300 B81B700 B81C100 H01L213213 H01L2156 H01L21768 H01L218238 H01L23522 H01L23528 H01L2706 H01L27092

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;苏虹

法律状态：

授权

国省代码：

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共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体(CMOS)超声换能器及其形成方法 [P].

乔纳森·M·罗思伯格 ;

基思·G·菲费 ;

泰勒·S·拉尔斯顿 ;

格雷戈里·L·哈尔瓦特 ;

内华达·J·桑切斯 .

中国专利 :CN105307975B ,2016-02-03

[2]

互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和方法 [P].

B·杨 ;

X·李 ;

J·袁 .

中国专利 :CN104272452A ,2015-01-07

[3]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[4]

用于互补金属氧化物半导体（CMOS）隔离的结构和方法 [P].

杨海宁 .

中国专利 :CN113169122A ,2021-07-23

[5]

互补金属氧化物半导体装置及制造方法 [P].

安生健二 .

中国专利 :CN106505067B ,2017-03-15

[6]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[7]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

[8]

互补金属氧化物半导体开关 [P].

陈越洋 ;

王兴华 ;

仲顺安 ;

赵显利 .

中国专利 :CN101783667A ,2010-07-21

[9]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[10]

互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器电路装置 [P].

柳凡善 ;

林奎昊 ;

姜汰竟 .

中国专利 :CN104579309A ,2015-04-29

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-20	授权	授权
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724587744 IPC(主分类):A61B 8/00 专利申请号:201580025730X 申请日:20150417
2017-05-10	公开	公开