一种互补金属氧化物半导体及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410079753.2

申请日：

2004-09-16

公开(公告)号：

CN1601725A

公开(公告)日：

2005-03-30

发明(设计)人：

阿图尔·C·阿杰梅里安德里斯·布莱恩特珀西·V·吉尔伯特迈克尔·A·格里博尔尤克爱德华·P·马切耶夫斯基瑞尼·T·默什瑞什·那拉辛哈

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092 H01L2712

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-05-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2005-03-30	公开	公开

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

亚历山大·赖茨尼赛克 ;

德文德拉·K·萨德纳 ;

刘孝诚 .

中国专利 :CN101055851B ,2007-10-17

[2]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

O·格卢斯陈克夫 ;

M·P·别良斯基 ;

J·A·曼德尔曼 ;

B·B·多里斯 .

中国专利 :CN1812101A ,2006-08-02

[3]

半导体元件、互补金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

洪国信 .

中国专利 :CN101154594A ,2008-04-02

[4]

互补金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

比卡斯·迈蒂 ;

菲利浦·J·托宾 ;

C·约瑟夫·莫噶 ;

克里斯托弗·豪泊斯 ;

拉里·E·福里萨 .

中国专利 :CN1122307C ,2000-02-02

[5]

互补金属氧化物半导体(CMOS)超声换能器及其形成方法 [P].

乔纳森·M·罗思伯格 ;

基思·G·菲费 ;

泰勒·S·拉尔斯顿 ;

格雷戈里·L·哈尔瓦特 ;

内华达·J·桑切斯 .

中国专利 :CN105307975B ,2016-02-03

[6]

互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101330053A ,2008-12-24

[7]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[8]

互补金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

相奇 ;

H·钟 ;

J-S·古 ;

A·K·霍尔布鲁克 ;

J·S·千 ;

G·J·克拉思 .

中国专利 :CN100573851C ,2006-10-11

[9]

3D互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其形成方法 [P].

H·吉姆·富尔福德 ;

安东·J·德维利耶 ;

马克·加德纳 ;

丹尼尔·沙内穆加梅 ;

杰弗里·史密斯 ;

拉尔斯·利布曼 ;

苏巴迪普·卡尔 .

中国专利 :CN114902399A ,2022-08-12

[10]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

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