互补型金属氧化物半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910201075.5

申请日：

2009-12-10

公开(公告)号：

CN102097380A

公开(公告)日：

2011-06-15

发明(设计)人：

黄敬勇韩秋华王新鹏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101488572962 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2009102010755 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121121
2011-06-15	公开	公开
2020-11-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20091210 授权公告日:20130529 终止日期:20191210
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101095717469 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2009102010755 申请日:20091210
2013-05-29	授权	授权

共 50 条

[1]

互补型金属氧化物半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 ;

徐建华 .

中国专利 :CN102054769B ,2011-05-11

[2]

互补型金属氧化物半导体管的形成方法 [P].

陈振兴 ;

叶彬 ;

何凤英 .

中国专利 :CN103633025B ,2014-03-12

[3]

互补型金属氧化物半导体管的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103456692A ,2013-12-18

[4]

互补型金属氧化物半导体管的形成方法 [P].

平延磊 ;

周鸣 ;

王小娜 .

中国专利 :CN103531538B ,2014-01-22

[5]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

亚历山大·赖茨尼赛克 ;

德文德拉·K·萨德纳 ;

刘孝诚 .

中国专利 :CN101055851B ,2007-10-17

[6]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[7]

互补金属氧化物半导体结构的制作方法 [P].

孙武 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN102130056A ,2011-07-20

[8]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

O·格卢斯陈克夫 ;

M·P·别良斯基 ;

J·A·曼德尔曼 ;

B·B·多里斯 .

中国专利 :CN1812101A ,2006-08-02

[9]

互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101330053A ,2008-12-24

[10]

制作互补型金属氧化物半导体器件结构的方法 [P].

赵林林 ;

张力群 .

中国专利 :CN102299111B ,2011-12-28

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