互补型金属氧化物半导体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210299231.8

申请日：

2012-08-21

公开(公告)号：

CN103633025B

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

陈振兴叶彬何凤英

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	公开	公开
2016-02-17	授权	授权

共 50 条

[1]

互补型金属氧化物半导体管的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103456692A ,2013-12-18

[2]

互补型金属氧化物半导体管的形成方法 [P].

平延磊 ;

周鸣 ;

王小娜 .

中国专利 :CN103531538B ,2014-01-22

[3]

互补型金属氧化物半导体结构的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

韩秋华 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN102097380A ,2011-06-15

[4]

互补型金属氧化物半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 ;

徐建华 .

中国专利 :CN102054769B ,2011-05-11

[5]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

亚历山大·赖茨尼赛克 ;

德文德拉·K·萨德纳 ;

刘孝诚 .

中国专利 :CN101055851B ,2007-10-17

[6]

制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 [P].

黄敬勇 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102194751A ,2011-09-21

[7]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

O·格卢斯陈克夫 ;

M·P·别良斯基 ;

J·A·曼德尔曼 ;

B·B·多里斯 .

中国专利 :CN1812101A ,2006-08-02

[8]

制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 [P].

黄敬勇 ;

韩秋华 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN102194750A ,2011-09-21

[9]

制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102194749A ,2011-09-21

[10]

互补金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

比卡斯·迈蒂 ;

菲利浦·J·托宾 ;

C·约瑟夫·莫噶 ;

克里斯托弗·豪泊斯 ;

拉里·E·福里萨 .

中国专利 :CN1122307C ,2000-02-02

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