互补型金属氧化物半导体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210225982.5

申请日：

2012-07-02

公开(公告)号：

CN103531538B

公开(公告)日：

2014-01-22

发明(设计)人：

平延磊周鸣王小娜

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101573728493 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2012102259825 申请日:20120702
2016-01-06	授权	授权
2014-01-22	公开	公开

共 50 条

[1]

互补型金属氧化物半导体管的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103456692A ,2013-12-18

[2]

互补型金属氧化物半导体管的形成方法 [P].

陈振兴 ;

叶彬 ;

何凤英 .

中国专利 :CN103633025B ,2014-03-12

[3]

互补型金属氧化物半导体结构的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

韩秋华 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN102097380A ,2011-06-15

[4]

互补型金属氧化物半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 ;

徐建华 .

中国专利 :CN102054769B ,2011-05-11

[5]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

O·格卢斯陈克夫 ;

M·P·别良斯基 ;

J·A·曼德尔曼 ;

B·B·多里斯 .

中国专利 :CN1812101A ,2006-08-02

[6]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

亚历山大·赖茨尼赛克 ;

德文德拉·K·萨德纳 ;

刘孝诚 .

中国专利 :CN101055851B ,2007-10-17

[7]

互补金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

比卡斯·迈蒂 ;

菲利浦·J·托宾 ;

C·约瑟夫·莫噶 ;

克里斯托弗·豪泊斯 ;

拉里·E·福里萨 .

中国专利 :CN1122307C ,2000-02-02

[8]

互补型金属氧化物半导体管金属栅电极的制作方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103165535A ,2013-06-19

[9]

具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102569083A ,2012-07-11

[10]

半导体元件、互补金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

洪国信 .

中国专利 :CN101154594A ,2008-04-02

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