横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410053355.7

申请日：

2014-02-17

公开(公告)号：

CN104851803A

公开(公告)日：

2015-08-19

发明(设计)人：

韩广涛

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-20	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20170927 变更事项:申请人变更前权利人:无锡华润上华半导体有限公司变更后权利人:无锡华润上华科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更后权利人:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
2015-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101625672077 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014100533557 申请日:20140217
2015-08-19	公开	公开
2019-03-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20150819

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN104900694A ,2015-09-09

[2]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

汪广羊 .

中国专利 :CN111180504A ,2020-05-19

[3]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

赵景川 ;

何乃龙 ;

张森 ;

张志丽 ;

王浩 .

中国专利 :CN114695510B ,2025-08-29

[4]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

章舒 ;

韩广涛 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN104167360A ,2014-11-26

[5]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

赵景川 ;

何乃龙 ;

张森 ;

张志丽 ;

王浩 .

中国专利 :CN114695510A ,2022-07-01

[6]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

赵景川 ;

张志丽 ;

张森 .

中国专利 :CN110518056B ,2019-11-29

[7]

横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN103346090A ,2013-10-09

[8]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

宋洵奕 .

中国专利 :CN208240687U ,2018-12-14

[9]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

叶然 ;

边姣静 ;

何乃龙 ;

朱智涵 ;

戴奕欣 ;

张森 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

邹敏 .

中国专利 :CN119967861A ,2025-05-09

[10]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

刘腾 ;

何乃龙 ;

张森 ;

章文通 ;

朱佳佳 ;

赵景川 ;

王浩 ;

王婷 ;

姚玉恒 ;

石永昱 ;

朱峰 .

中国专利 :CN118156286A ,2024-06-07

← 1 2 3 4 5 →