横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310270852.8

申请日：

2013-06-28

公开(公告)号：

CN103346090A

公开(公告)日：

2013-10-09

发明(设计)人：

刘正超

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-09	公开	公开
2014-06-11	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701670444 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013102708528 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140514
2017-05-10	授权	授权
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587809591 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013102708528 申请日:20130628

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN104851803A ,2015-08-19

[2]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

宋洵奕 .

中国专利 :CN208240687U ,2018-12-14

[3]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

叶然 ;

边姣静 ;

何乃龙 ;

朱智涵 ;

戴奕欣 ;

张森 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

邹敏 .

中国专利 :CN119967861A ,2025-05-09

[4]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

刘腾 ;

何乃龙 ;

张森 ;

章文通 ;

朱佳佳 ;

赵景川 ;

王浩 ;

王婷 ;

姚玉恒 ;

石永昱 ;

朱峰 .

中国专利 :CN118156286A ,2024-06-07

[5]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

黄贤国 .

中国专利 :CN208385412U ,2019-01-15

[6]

横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

游步东 ;

王猛 ;

喻慧 ;

杜益成 ;

彭川 .

中国专利 :CN108682691A ,2018-10-19

[7]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

汪广羊 .

中国专利 :CN111180504A ,2020-05-19

[8]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN104900694A ,2015-09-09

[9]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

马春霞 ;

林峰 ;

许超奇 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN112309865A ,2021-02-02

[10]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

赵景川 ;

何乃龙 ;

张森 ;

张志丽 ;

王浩 .

中国专利 :CN114695510B ,2025-08-29

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