金属氧化物半导体器件栅极结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610030793.7

申请日：

2006-09-04

公开(公告)号：

CN100468636C

公开(公告)日：

2008-03-12

发明(设计)人：

张海洋刘乒马擎天陈海华

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20060904 授权公告日:20090311 终止日期:20190904
2009-03-11	授权	授权
2008-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-12	公开	公开
2011-12-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101249314163 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2006100307937 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111116

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100468635C ,2008-03-12

[2]

功率金属氧化物半导体器件形成方法 [P].

陈韬 ;

苟鸿雁 .

中国专利 :CN102354667B ,2012-02-15

[3]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[4]

金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102544096A ,2012-07-04

[5]

金属氧化物半导体器件的形成方法 [P].

鲍宇 ;

张彬 ;

荆学珍 ;

付云飞 .

中国专利 :CN102468236A ,2012-05-23

[6]

金属氧化物半导体器件栅极的制造方法 [P].

张海洋 ;

马擎天 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192525A ,2008-06-04

[7]

互补金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

比卡斯·迈蒂 ;

菲利浦·J·托宾 ;

C·约瑟夫·莫噶 ;

克里斯托弗·豪泊斯 ;

拉里·E·福里萨 .

中国专利 :CN1122307C ,2000-02-02

[8]

高压金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

郝际发 ;

丹尼尔·哈恩 .

中国专利 :CN105322020A ,2016-02-10

[9]

形成沟槽金属氧化物半导体器件和端子结构的方法 [P].

徐志伟 ;

刘崇民 ;

高明哲 ;

蔡明仁 ;

邝普如 .

中国专利 :CN1211843C ,2002-05-08

[10]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

朱峰 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

黄怡 .

中国专利 :CN100561673C ,2008-06-25

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