高压金属氧化物半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510446912.6

申请日：

2015-07-27

公开(公告)号：

CN105322020A

公开(公告)日：

2016-02-10

发明(设计)人：

郝际发丹尼尔·哈恩

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2966 H01L2128

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

梁丽超;陈鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-10	公开	公开
2018-05-01	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:申请人变更前:飞兆半导体公司变更后:飞兆半导体公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国亚利桑那州变更事项:申请人变更前:快捷半导体（苏州）有限公司变更后:快捷半导体（苏州）有限公司
2017-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效申请日:20150727 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101730570267 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015104469126

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102544096A ,2012-07-04

[2]

功率金属氧化物半导体器件形成方法 [P].

陈韬 ;

苟鸿雁 .

中国专利 :CN102354667B ,2012-02-15

[3]

金属氧化物半导体器件的形成方法 [P].

鲍宇 ;

张彬 ;

荆学珍 ;

付云飞 .

中国专利 :CN102468236A ,2012-05-23

[4]

金属氧化物半导体器件栅极结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 ;

陈海华 .

中国专利 :CN100468636C ,2008-03-12

[5]

互补金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

比卡斯·迈蒂 ;

菲利浦·J·托宾 ;

C·约瑟夫·莫噶 ;

克里斯托弗·豪泊斯 ;

拉里·E·福里萨 .

中国专利 :CN1122307C ,2000-02-02

[6]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111430460A ,2020-07-17

[7]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[8]

金属氧化物半导体器件 [P].

苗跃 ;

萧经华 ;

李秋敏 ;

赵冬芹 ;

曹廷 .

中国专利 :CN102569400A ,2012-07-11

[9]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

亚历山大·赖茨尼赛克 ;

德文德拉·K·萨德纳 ;

刘孝诚 .

中国专利 :CN101055851B ,2007-10-17

[10]

形成金属氧化物半导体器件的栅氧化物的方法 [P].

T·沃格尔桑 ;

W·海恩施 ;

J·福尔 .

中国专利 :CN1264164A ,2000-08-23

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