横向扩散金属氧化物半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910022854.2

申请日：

2019-01-10

公开(公告)号：

CN111430460A

公开(公告)日：

2020-07-17

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L23367 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-17	公开	公开
2020-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190110

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

宋洵奕 .

中国专利 :CN208240687U ,2018-12-14

[2]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

叶然 ;

边姣静 ;

何乃龙 ;

朱智涵 ;

戴奕欣 ;

张森 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

邹敏 .

中国专利 :CN119967861A ,2025-05-09

[3]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

刘腾 ;

何乃龙 ;

张森 ;

章文通 ;

朱佳佳 ;

赵景川 ;

王浩 ;

王婷 ;

姚玉恒 ;

石永昱 ;

朱峰 .

中国专利 :CN118156286A ,2024-06-07

[4]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

黄贤国 .

中国专利 :CN208385412U ,2019-01-15

[5]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

刘腾 ;

何乃龙 ;

张森 ;

种世雄 ;

宋华 .

中国专利 :CN119028970A ,2024-11-26

[6]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

汪广羊 .

中国专利 :CN111180504A ,2020-05-19

[7]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN104900694A ,2015-09-09

[8]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

马春霞 ;

林峰 ;

许超奇 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN112309865A ,2021-02-02

[9]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

赵景川 ;

张志丽 ;

张森 .

中国专利 :CN113130632B ,2021-07-16

[10]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

安丽琪 ;

宋亮 ;

王琼 ;

王亚南 .

中国专利 :CN117637840A ,2024-03-01

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