横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911418234.7

申请日：

2019-12-31

公开(公告)号：

CN113130632B

公开(公告)日：

2021-07-16

发明(设计)人：

赵景川张志丽张森

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978 H01L21336

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

史治法

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	授权	授权
2021-07-16	公开	公开
2021-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20191231

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

李春旭 ;

林峰 ;

金华俊 ;

杨斌 ;

黄宇 ;

黄刚 ;

陈淑娴 ;

金宏峰 .

中国专利 :CN114975607B ,2025-08-19

[2]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

刘腾 ;

何乃龙 ;

张森 ;

种世雄 ;

宋华 .

中国专利 :CN119028970A ,2024-11-26

[3]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

安丽琪 ;

宋亮 ;

王琼 ;

王亚南 .

中国专利 :CN117637840A ,2024-03-01

[4]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

宋亮 ;

安丽琪 ;

罗琳 .

中国专利 :CN119008664A ,2024-11-22

[5]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

刘腾 ;

章文通 ;

何乃龙 ;

邹敏 ;

张森 ;

张波 .

中国专利 :CN120239304A ,2025-07-01

[6]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

张日林 ;

于绍欣 ;

黄海燕 ;

罗洪 .

中国专利 :CN118156290A ,2024-06-07

[7]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

刘腾 ;

章文通 ;

何乃龙 ;

邹敏 ;

张森 ;

张波 .

中国专利 :CN120239305A ,2025-07-01

[8]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

孙伟锋 ;

张龙 ;

张森 ;

刘斯扬 ;

何乃龙 ;

盘成务 ;

顾力晖 ;

李浩宇 ;

种世雄 ;

邹敏 .

中国专利 :CN119967860A ,2025-05-09

[9]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

黄海燕 ;

张日林 .

中国专利 :CN118248554B ,2024-08-20

[10]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

刘腾 ;

何乃龙 ;

张森 ;

宋华 ;

朱佳佳 ;

王婷 ;

石永昱 ;

朱峰 ;

章文通 ;

张波 .

中国专利 :CN118507511A ,2024-08-16

← 1 2 3 4 5 →