横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310594014.X

申请日：

2023-05-24

公开(公告)号：

CN119028970A

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

刘腾何乃龙张森种世雄宋华

申请人：

无锡华润上华科技有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L27/07

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

黄旭东

法律状态：

公开

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	公开	公开
2024-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/07申请日:20230524

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

刘腾 ;

何乃龙 ;

张森 ;

种世雄 ;

宋华 .

中国专利 :CN119029018A ,2024-11-26

[2]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

刘腾 ;

何乃龙 ;

张森 ;

宋华 ;

朱佳佳 ;

王婷 ;

石永昱 ;

朱峰 ;

章文通 ;

张波 .

中国专利 :CN118507511A ,2024-08-16

[3]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

金华俊 ;

宋亮 ;

刘新新 ;

袁玫 ;

王亚南 .

中国专利 :CN119451184A ,2025-02-14

[4]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

叶然 ;

边姣静 ;

何乃龙 ;

朱智涵 ;

戴奕欣 ;

张森 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

邹敏 .

中国专利 :CN119967861A ,2025-05-09

[5]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

赵景川 ;

张志丽 ;

张森 .

中国专利 :CN113130632B ,2021-07-16

[6]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

安丽琪 ;

宋亮 ;

王琼 ;

王亚南 .

中国专利 :CN117637840A ,2024-03-01

[7]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

宋亮 ;

安丽琪 ;

罗琳 .

中国专利 :CN119008664A ,2024-11-22

[8]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

刘腾 ;

章文通 ;

何乃龙 ;

邹敏 ;

张森 ;

张波 .

中国专利 :CN120239304A ,2025-07-01

[9]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

张日林 ;

于绍欣 ;

黄海燕 ;

罗洪 .

中国专利 :CN118156290A ,2024-06-07

[10]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

刘腾 ;

章文通 ;

何乃龙 ;

邹敏 ;

张森 ;

张波 .

中国专利 :CN120239305A ,2025-07-01

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