形成沟槽金属氧化物半导体器件和端子结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01141679.3

申请日：

2001-09-24

公开(公告)号：

CN1211843C

公开(公告)日：

2002-05-08

发明(设计)人：

徐志伟刘崇民高明哲蔡明仁邝普如

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谷惠敏;李辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-07-20	授权	授权
2021-10-15	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20010924 授权公告日:20050720
2002-05-08	公开	公开
2003-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

沟道金属氧化物半导体器件和端子结构 [P].

徐志伟 ;

刘崇民 ;

高明哲 ;

蔡明仁 ;

邝普如 .

中国专利 :CN1348220A ,2002-05-08

[2]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[3]

金属氧化物半导体器件栅极结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 ;

陈海华 .

中国专利 :CN100468636C ,2008-03-12

[4]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101197286A ,2008-06-11

[5]

功率金属氧化物半导体器件形成方法 [P].

陈韬 ;

苟鸿雁 .

中国专利 :CN102354667B ,2012-02-15

[6]

浅沟槽隔离结构与金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

洪明杰 ;

赖圣明 .

中国专利 :CN115036261A ,2022-09-09

[7]

横向沟槽金属氧化物半导体器件 [P].

陈瑜 ;

刘剑 .

中国专利 :CN102487082A ,2012-06-06

[8]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

朱峰 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

黄怡 .

中国专利 :CN100561673C ,2008-06-25

[9]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100468635C ,2008-03-12

[10]

金属氧化物半导体器件和制作方法 [P].

伊藤明 .

中国专利 :CN103904116B ,2014-07-02

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