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浅沟槽隔离结构与金属氧化物半导体器件的制造方法
被引：0
申请号：
CN202210958312.8
申请日：
2022-08-11
公开(公告)号：
CN115036261A
公开(公告)日：
2022-09-09
发明(设计)人：
洪明杰
赖圣明
申请人：
申请人地址：
510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人：
郑星
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-09 | 公开 | 公开 |
| 2022-09-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20220811 |