具有栅极氧化物层处减小电场的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380068265.9

申请日：

2013-12-04

公开(公告)号：

CN105103297A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

Q.张 B.哈尔

申请人：

申请人地址：

美国北卡罗来纳州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L29749 H01L2906 H01L21336 H01L21331 H01L21332 H01L2916

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王岳;刘春元

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-01	授权	授权
2015-11-25	公开	公开
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638524741 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013800682659 申请日:20131204

共 50 条

[1]

具有双栅极氧化物层的半导体器件的制造方法 [P].

林宽容 ;

赵兴在 ;

朴大奎 ;

车泰昊 ;

吕寅硕 .

中国专利 :CN1423306A ,2003-06-11

[2]

具有栅极氧化物层的FINFET器件 [P].

李东颖 ;

黄玉莲 ;

张毅敏 .

中国专利 :CN105280706B ,2016-01-27

[3]

具有多重栅极氧化物厚度的半导体器件的制造方法 [P].

弗朗索瓦·赫伯特 ;

萨曼·阿赫桑 .

中国专利 :CN1722407A ,2006-01-18

[4]

金属氧化物半导体器件栅极的制造方法 [P].

张海洋 ;

马擎天 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192525A ,2008-06-04

[5]

具有氮化氧化物层的半导体器件及其方法 [P].

林相佑 ;

罗伯特·F·施泰梅尔 .

中国专利 :CN101124667A ,2008-02-13

[6]

具有双重栅极氧化物层的半导体组件的制造方法 [P].

谢文贵 ;

陈锡铨 ;

张荣和 ;

刘豪杰 .

中国专利 :CN1228817C ,2002-11-06

[7]

生长用于高压金属氧化物半导体器件厚栅极氧化层的方法 [P].

刘剑 ;

陈瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103137453A ,2013-06-05

[8]

具有不均匀沟槽氧化物层的半导体器件 [P].

C·帕克 ;

A·谢比卜 ;

K·特里尔 .

中国专利 :CN107851665B ,2018-03-27

[9]

具有不同栅极氧化物厚度的栅极全环绕器件 [P].

H·全 ;

G·布歇 .

美国专利 :CN118156292A ,2024-06-07

[10]

制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法 [P].

梁元硕 ;

金奇南 ;

沈载勋 ;

李宰圭 .

中国专利 :CN1227719C ,1999-12-29

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