生长用于高压金属氧化物半导体器件厚栅极氧化层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110382884.8

申请日：

2011-11-25

公开(公告)号：

CN103137453A

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

刘剑陈瑜陈华伦

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

孙大为

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486728391 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011103828848 申请日:20111125
2016-06-08	授权	授权
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689889501 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011103828848 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140109
2013-06-05	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体器件栅极的制造方法 [P].

张海洋 ;

马擎天 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192525A ,2008-06-04

[2]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[3]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

徐秋霞 ;

胡正明 ;

陈凯 .

中国专利 :CN109817585A ,2019-05-28

[4]

金属氧化物半导体器件 [P].

苗跃 ;

萧经华 ;

李秋敏 ;

赵冬芹 ;

曹廷 .

中国专利 :CN102569400A ,2012-07-11

[5]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

朱峰 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

黄怡 .

中国专利 :CN100561673C ,2008-06-25

[6]

金属氧化物半导体器件栅极结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 ;

陈海华 .

中国专利 :CN100468636C ,2008-03-12

[7]

金属氧化物半导体器件的制备方法及器件 [P].

李雄伟 ;

刘琪 ;

陈宗高 .

中国专利 :CN115547838B ,2025-12-12

[8]

金属氧化物半导体器件的制备方法及器件 [P].

李雄伟 ;

刘琪 ;

陈宗高 .

中国专利 :CN115547838A ,2022-12-30

[9]

栅极氧化层生长方法、半导体器件制备方法和半导体器件 [P].

欧阳文森 ;

崔敏 ;

王胜林 .

中国专利 :CN119653776A ,2025-03-18

[10]

形成金属氧化物半导体器件的栅氧化物的方法 [P].

T·沃格尔桑 ;

W·海恩施 ;

J·福尔 .

中国专利 :CN1264164A ,2000-08-23

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