金属氧化物半导体器件的制备方法及器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211304854.X

申请日：

2022-10-24

公开(公告)号：

CN115547838B

公开(公告)日：

2025-12-12

发明(设计)人：

李雄伟刘琪陈宗高

申请人：

绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

申请人地址：

312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/65

代理机构：

苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502

代理人：

李洋;李丹

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省绍兴市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-12	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体器件的制备方法及器件 [P].

李雄伟 ;

刘琪 ;

陈宗高 .

中国专利 :CN115547838A ,2022-12-30

[2]

金属氧化物半导体器件的制备方法 [P].

罗超 ;

赵亮 ;

刘志鹏 ;

张青 .

中国专利 :CN119815858A ,2025-04-11

[3]

金属氧化物半导体器件 [P].

苗跃 ;

萧经华 ;

李秋敏 ;

赵冬芹 ;

曹廷 .

中国专利 :CN102569400A ,2012-07-11

[4]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[5]

金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

李永顺 ;

金华俊 ;

宋亮 ;

安丽琪 ;

罗琳 .

中国专利 :CN118610251A ,2024-09-06

[6]

金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

黄海燕 ;

张日林 ;

于绍欣 .

中国专利 :CN117727634B ,2024-05-07

[7]

金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

黄海燕 ;

张日林 ;

于绍欣 .

中国专利 :CN117727634A ,2024-03-19

[8]

横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

游步东 ;

王猛 ;

喻慧 ;

杜益成 ;

彭川 .

中国专利 :CN108682691A ,2018-10-19

[9]

垂直扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

赵晓龙 ;

张拥华 ;

张青 .

中国专利 :CN118800804B ,2024-12-31

[10]

垂直扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 [P].

赵晓龙 ;

张拥华 ;

张青 .

中国专利 :CN118800804A ,2024-10-18

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