制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99109051.9

申请日：

1999-06-15

公开(公告)号：

CN1227719C

公开(公告)日：

1999-12-29

发明(设计)人：

梁元硕金奇南沈载勋李宰圭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谢丽娜;余朦

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101620095074 IPC(主分类):H01L 21/316 专利号:ZL991090519 申请日:19990615 授权公告日:20051116 终止日期:20140615
1999-12-29	公开	公开
1999-12-01	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2005-11-16	授权	授权

共 50 条

[1]

具有双栅极氧化物层的半导体器件的制造方法 [P].

林宽容 ;

赵兴在 ;

朴大奎 ;

车泰昊 ;

吕寅硕 .

中国专利 :CN1423306A ,2003-06-11

[2]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

朱峰 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

黄怡 .

中国专利 :CN100561673C ,2008-06-25

[3]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100468635C ,2008-03-12

[4]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101197286A ,2008-06-11

[5]

形成金属氧化物半导体器件的栅氧化物的方法 [P].

T·沃格尔桑 ;

W·海恩施 ;

J·福尔 .

中国专利 :CN1264164A ,2000-08-23

[6]

氧化物半导体层的结晶方法、半导体器件及其制造方法 [P].

金敏澈 ;

张允琼 ;

朴权植 ;

李昭珩 ;

郑昊暎 ;

柳夏珍 ;

梁晸硕 .

中国专利 :CN105679646B ,2016-06-15

[7]

形成氧化物层的方法和制作半导体器件的方法 [P].

朴秦煜 ;

任台镇 ;

曹仑廷 ;

博森田 ;

泰久降幡 .

中国专利 :CN110246750A ,2019-09-17

[8]

形成氧化物层的方法和制作半导体器件的方法 [P].

朴秦煜 ;

任台镇 ;

曹仑廷 ;

博森田 ;

泰久降幡 .

韩国专利 :CN110246750B ,2024-07-19

[9]

互补金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

杨勇胜 ;

邢溯 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100468701C ,2008-01-16

[10]

形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法 [P].

郑淑真 ;

李钟喆 ;

金润洙 ;

柳次英 ;

姜相列 .

中国专利 :CN102760661B ,2012-10-31

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