形成氧化物层的方法和制作半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910171202.5

申请日：

2019-03-07

公开(公告)号：

CN110246750A

公开(公告)日：

2019-09-17

发明(设计)人：

朴秦煜任台镇曹仑廷博森田泰久降幡

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2364

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

贺卫国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190307
2019-09-17	公开	公开

共 50 条

[1]

形成氧化物层的方法和制作半导体器件的方法 [P].

朴秦煜 ;

任台镇 ;

曹仑廷 ;

博森田 ;

泰久降幡 .

韩国专利 :CN110246750B ,2024-07-19

[2]

形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法 [P].

郑淑真 ;

李钟喆 ;

金润洙 ;

柳次英 ;

姜相列 .

中国专利 :CN102760661B ,2012-10-31

[3]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[4]

金属氧化物半导体器件和制作方法 [P].

伊藤明 .

中国专利 :CN103904116B ,2014-07-02

[5]

具有双栅极氧化物层的半导体器件的制造方法 [P].

林宽容 ;

赵兴在 ;

朴大奎 ;

车泰昊 ;

吕寅硕 .

中国专利 :CN1423306A ,2003-06-11

[6]

制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法 [P].

梁元硕 ;

金奇南 ;

沈载勋 ;

李宰圭 .

中国专利 :CN1227719C ,1999-12-29

[7]

局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法 [P].

杨紫琪 ;

张森 .

中国专利 :CN113838797A ,2021-12-24

[8]

氧化层形成方法、半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

张黎 .

中国专利 :CN112447497A ,2021-03-05

[9]

形成沟槽金属氧化物半导体器件和端子结构的方法 [P].

徐志伟 ;

刘崇民 ;

高明哲 ;

蔡明仁 ;

邝普如 .

中国专利 :CN1211843C ,2002-05-08

[10]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

P·C·布兰特 ;

H-J·舒尔策 ;

A·R·施特格纳 .

中国专利 :CN105895699B ,2016-08-24

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