半导体器件和用于形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610079475.3

申请日：

2016-02-04

公开(公告)号：

CN105895699B

公开(公告)日：

2016-08-24

发明(设计)人：

P·C·布兰特 H-J·舒尔策 A·R·施特格纳

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L27088 H01L218234 H01L2128

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

曾立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101679354985 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016100794753 申请日:20160204
2020-12-08	授权	授权
2016-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 ;

王志豪 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104218083B ,2014-12-17

[2]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[3]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

A.马穆德 ;

Y.吕埃 ;

E.贝西诺巴斯克斯 ;

J.魏尔斯 .

中国专利 :CN107887382B ,2018-04-06

[4]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G·塞德曼 ;

M·奥斯特迈尔 ;

W·卢茨 ;

J·阿森马赫尔 .

美国专利 :CN117546284A ,2024-02-09

[5]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN104518016A ,2015-04-15

[6]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G.施密特 ;

M.巴鲁西克 ;

B.施托伊布 .

中国专利 :CN109994383A ,2019-07-09

[7]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G.施密特 ;

M.巴鲁西克 ;

B.施托伊布 .

德国专利 :CN109994383B ,2025-03-28

[8]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G·施密特 ;

E·勒尔彻 .

中国专利 :CN107093632A ,2017-08-25

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816B ,2025-01-14

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850B ,2025-08-22

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