半导体器件和用于形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811549460.4

申请日：

2018-12-18

公开(公告)号：

CN109994383B

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

G.施密特 M.巴鲁西克 B.施托伊布

申请人：

英飞凌科技股份有限公司

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H10D8/01

IPC分类号：

H10D8/00 H10D62/10

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

陈晓;刘春元

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G.施密特 ;

M.巴鲁西克 ;

B.施托伊布 .

中国专利 :CN109994383A ,2019-07-09

[2]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

A.马穆德 ;

Y.吕埃 ;

E.贝西诺巴斯克斯 ;

J.魏尔斯 .

中国专利 :CN107887382B ,2018-04-06

[3]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

A·毛德 ;

F·D·普菲尔施 ;

H-J·舒尔策 ;

P·森 ;

A·威尔梅洛斯 .

中国专利 :CN107591454B ,2018-01-16

[4]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G·施密特 ;

E·勒尔彻 .

中国专利 :CN107093632A ,2017-08-25

[5]

半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法 [P].

M.科托罗贾 ;

E.格里布尔 ;

J.G.拉文 ;

A.菲利波 .

中国专利 :CN107665882B ,2018-02-06

[6]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

P·C·布兰特 ;

H-J·舒尔策 ;

A·R·施特格纳 .

中国专利 :CN105895699B ,2016-08-24

[7]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G·塞德曼 ;

M·奥斯特迈尔 ;

W·卢茨 ;

J·阿森马赫尔 .

美国专利 :CN117546284A ,2024-02-09

[8]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN104518016A ,2015-04-15

[9]

半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P].

H-G·埃克尔 ;

M·米勒 .

中国专利 :CN105895700B ,2016-08-24

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

← 1 2 3 4 5 →