半导体器件和用于形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280044113.4

申请日：

2022-09-16

公开(公告)号：

CN117546284A

公开(公告)日：

2024-02-09

发明(设计)人：

G·塞德曼 M·奥斯特迈尔 W·卢茨 J·阿森马赫尔

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

林金朝

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/48申请日:20220916
2024-02-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

P·C·布兰特 ;

H-J·舒尔策 ;

A·R·施特格纳 .

中国专利 :CN105895699B ,2016-08-24

[2]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

A.马穆德 ;

Y.吕埃 ;

E.贝西诺巴斯克斯 ;

J.魏尔斯 .

中国专利 :CN107887382B ,2018-04-06

[3]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN104518016A ,2015-04-15

[4]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G.施密特 ;

M.巴鲁西克 ;

B.施托伊布 .

中国专利 :CN109994383A ,2019-07-09

[5]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G.施密特 ;

M.巴鲁西克 ;

B.施托伊布 .

德国专利 :CN109994383B ,2025-03-28

[6]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G·施密特 ;

E·勒尔彻 .

中国专利 :CN107093632A ,2017-08-25

[7]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[8]

半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法 [P].

M.科托罗贾 ;

E.格里布尔 ;

J.G.拉文 ;

A.菲利波 .

中国专利 :CN107665882B ,2018-02-06

[9]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

N·G·加纳戈纳 ;

M·耶利内克 ;

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

W·舒斯特雷德尔 .

中国专利 :CN106257628B ,2016-12-28

[10]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.耶利内克 ;

J.G.拉文 ;

H.厄夫纳 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN105609407B ,2016-05-25

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