半导体器件以及用于形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610079865.0

申请日：

2016-02-04

公开(公告)号：

CN105895700B

公开(公告)日：

2016-08-24

发明(设计)人：

H-G·埃克尔 M·米勒

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L27088 H01L218234 H01L2128

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

曾立

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-24	公开	公开
2016-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101679355345 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016100798650 申请日:20160204
2019-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[2]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G.施密特 ;

M.巴鲁西克 ;

B.施托伊布 .

中国专利 :CN109994383A ,2019-07-09

[3]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G.施密特 ;

M.巴鲁西克 ;

B.施托伊布 .

德国专利 :CN109994383B ,2025-03-28

[4]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G·施密特 ;

E·勒尔彻 .

中国专利 :CN107093632A ,2017-08-25

[5]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

奥利弗·黑尔蒙德 ;

彼得·伊尔西格勒 ;

塞巴斯蒂安·施密特 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 ;

马丁纳·赛德尔-施密特 .

中国专利 :CN107527817B ,2017-12-29

[6]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

弗兰科·马里亚尼 ;

科比尼安·卡斯帕 .

中国专利 :CN107452716B ,2017-12-08

[7]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

A.布雷梅泽尔 ;

A.布罗克迈尔 ;

R.克恩 ;

R.鲁普 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

C.冯科布林斯基 .

中国专利 :CN107799429B ,2018-03-13

[8]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

罗曼·罗特 ;

弗兰克·翁巴赫 .

中国专利 :CN107437511B ,2017-12-05

[9]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

A.布雷梅泽尔 ;

A.布罗克迈尔 ;

R.克恩 ;

R.鲁普 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

C.冯科布林斯基 .

中国专利 :CN114496765A ,2022-05-13

[10]

半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法 [P].

M.科托罗贾 ;

E.格里布尔 ;

J.G.拉文 ;

A.菲利波 .

中国专利 :CN107665882B ,2018-02-06

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