用于形成半导体器件的方法以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710367503.6

申请日：

2017-05-23

公开(公告)号：

CN107437511B

公开(公告)日：

2017-12-05

发明(设计)人：

罗曼·罗特弗兰克·翁巴赫

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L23485

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;苏虹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20170523
2017-12-05	公开	公开
2020-07-10	授权	授权

共 50 条

[1]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

奥利弗·黑尔蒙德 ;

彼得·伊尔西格勒 ;

塞巴斯蒂安·施密特 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 ;

马丁纳·赛德尔-施密特 .

中国专利 :CN107527817B ,2017-12-29

[2]

半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P].

H-G·埃克尔 ;

M·米勒 .

中国专利 :CN105895700B ,2016-08-24

[3]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

弗兰科·马里亚尼 ;

科比尼安·卡斯帕 .

中国专利 :CN107452716B ,2017-12-08

[4]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

A.布雷梅泽尔 ;

A.布罗克迈尔 ;

R.克恩 ;

R.鲁普 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

C.冯科布林斯基 .

中国专利 :CN107799429B ,2018-03-13

[5]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

A.布雷梅泽尔 ;

A.布罗克迈尔 ;

R.克恩 ;

R.鲁普 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

C.冯科布林斯基 .

中国专利 :CN114496765A ,2022-05-13

[6]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

尤宏志 ;

陈建茂 .

中国专利 :CN109786365B ,2019-05-21

[7]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[8]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

S·巴尔曾 .

中国专利 :CN107134480A ,2017-09-05

[9]

形成半导体器件结构的方法以及半导体器件结构 [P].

T·梅尔德 ;

R·里希特 .

中国专利 :CN108022930A ,2018-05-11

[10]

半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P].

尹汝俊 ;

李承炫 ;

李喜秀 .

韩国专利 :CN120834015A ,2025-10-24

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