形成半导体器件结构的方法以及半导体器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711020533.6

申请日：

2017-10-27

公开(公告)号：

CN108022930A

公开(公告)日：

2018-05-11

发明(设计)人：

T·梅尔德 R·里希特

申请人：

申请人地址：

开曼群岛大开曼岛

IPC主分类号：

H01L2711524

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

李峥;于静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20171027
2020-12-11	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/11524 登记生效日:20201201 变更事项:申请人变更前权利人:格芯公司变更后权利人:格芯美国公司变更事项:地址变更前权利人:开曼群岛大开曼岛变更后权利人:美国加利福尼亚州
2018-05-11	公开	公开
2021-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法 [P].

迪特尔·克拉埃斯 ;

贝恩德·埃塞内尔 ;

京特·普法伊费尔 ;

德特勒夫·威廉 .

中国专利 :CN103022017A ,2013-04-03

[2]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

罗曼·罗特 ;

弗兰克·翁巴赫 .

中国专利 :CN107437511B ,2017-12-05

[3]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

尤宏志 ;

陈建茂 .

中国专利 :CN109786365B ,2019-05-21

[4]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[5]

形成半导体器件的方法、以及半导体器件结构 [P].

陈柏宁 ;

郑振辉 ;

王启安 ;

刘昌淼 .

中国专利 :CN120711832A ,2025-09-26

[6]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[7]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

奥利弗·黑尔蒙德 ;

彼得·伊尔西格勒 ;

塞巴斯蒂安·施密特 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 ;

马丁纳·赛德尔-施密特 .

中国专利 :CN107527817B ,2017-12-29

[8]

半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P].

H-G·埃克尔 ;

M·米勒 .

中国专利 :CN105895700B ,2016-08-24

[9]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

弗兰科·马里亚尼 ;

科比尼安·卡斯帕 .

中国专利 :CN107452716B ,2017-12-08

[10]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

A.布雷梅泽尔 ;

A.布罗克迈尔 ;

R.克恩 ;

R.鲁普 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

C.冯科布林斯基 .

中国专利 :CN107799429B ,2018-03-13

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