半导体器件以及形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811123332.3

申请日：

2018-09-26

公开(公告)号：

CN109786365B

公开(公告)日：

2019-05-21

发明(设计)人：

尤宏志陈建茂

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2364

IPC分类号：

H01L2706

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-21	公开	公开
2019-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/64 申请日:20180926
2020-11-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[2]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

奥利弗·黑尔蒙德 ;

彼得·伊尔西格勒 ;

塞巴斯蒂安·施密特 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 ;

马丁纳·赛德尔-施密特 .

中国专利 :CN107527817B ,2017-12-29

[3]

半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P].

H-G·埃克尔 ;

M·米勒 .

中国专利 :CN105895700B ,2016-08-24

[4]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

弗兰科·马里亚尼 ;

科比尼安·卡斯帕 .

中国专利 :CN107452716B ,2017-12-08

[5]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

A.布雷梅泽尔 ;

A.布罗克迈尔 ;

R.克恩 ;

R.鲁普 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

C.冯科布林斯基 .

中国专利 :CN107799429B ,2018-03-13

[6]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

罗曼·罗特 ;

弗兰克·翁巴赫 .

中国专利 :CN107437511B ,2017-12-05

[7]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

A.布雷梅泽尔 ;

A.布罗克迈尔 ;

R.克恩 ;

R.鲁普 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

C.冯科布林斯基 .

中国专利 :CN114496765A ,2022-05-13

[8]

形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

安东·毛德 ;

英戈·穆里 ;

约翰内斯·鲍姆加特尔 ;

伊里斯·莫德 ;

弗兰克·迪特尔·普菲尔施 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 .

中国专利 :CN107039502B ,2017-08-11

[9]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 ;

王志豪 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104218083B ,2014-12-17

[10]

形成半导体器件结构的方法以及半导体器件结构 [P].

T·梅尔德 ;

R·里希特 .

中国专利 :CN108022930A ,2018-05-11

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