半导体器件以及形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310381537.2

申请日：

2013-08-28

公开(公告)号：

CN104218083B

公开(公告)日：

2014-12-17

发明(设计)人：

让-皮埃尔·科林格江国诚张广兴吴志强王志豪卡洛斯·H.·迪亚兹

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594978303 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013103815372 申请日:20130828
2014-12-17	公开	公开
2017-09-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[2]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

P·C·布兰特 ;

H-J·舒尔策 ;

A·R·施特格纳 .

中国专利 :CN105895699B ,2016-08-24

[3]

形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

安东·毛德 ;

英戈·穆里 ;

约翰内斯·鲍姆加特尔 ;

伊里斯·莫德 ;

弗兰克·迪特尔·普菲尔施 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 .

中国专利 :CN107039502B ,2017-08-11

[4]

形成半导体器件的方法 [P].

山崎舜平 ;

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

安达广树 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1078068A ,1993-11-03

[5]

半导体器件 [P].

曹玟锡 ;

李戴晛 ;

李钟汉 ;

朴洪培 ;

李东洙 .

中国专利 :CN110534570A ,2019-12-03

[6]

半导体器件 [P].

曹玟锡 ;

李戴晛 ;

李钟汉 ;

朴洪培 ;

李东洙 .

韩国专利 :CN110534570B ,2024-10-01

[7]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816B ,2025-01-14

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816A ,2021-08-13

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

程仲良 ;

张毅敏 ;

方子韦 ;

赵皇麟 .

中国专利 :CN112582400B ,2025-01-10

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

程仲良 ;

张毅敏 ;

方子韦 ;

赵皇麟 .

中国专利 :CN112582400A ,2021-03-30

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