形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN93105438.9

申请日：

1993-04-07

公开(公告)号：

CN1078068A

公开(公告)日：

1993-11-03

发明(设计)人：

山崎舜平张宏勇鱼地秀贵安达广树竹村保彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L29784

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

肖掬昌;王忠忠

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1995-07-19	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1993-11-03	公开	公开
2000-07-12	授权	授权
2011-06-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101079117363 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL931054389 申请日:19930407 授权公告日:20000712 终止日期:20100407

共 50 条

[1]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 ;

王志豪 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104218083B ,2014-12-17

[2]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[3]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

P·C·布兰特 ;

H-J·舒尔策 ;

A·R·施特格纳 .

中国专利 :CN105895699B ,2016-08-24

[4]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816B ,2025-01-14

[5]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816A ,2021-08-13

[6]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN114649412A ,2022-06-21

[7]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN109585543A ,2019-04-05

[8]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN104518016A ,2015-04-15

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

G·科恩 ;

M·A·古罗恩 ;

A·格里尔 ;

L·希 .

中国专利 :CN103871894A ,2014-06-18

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850A ,2021-08-20

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