半导体器件及形成该半导体器件的处理

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811138593.2

申请日：

2018-09-28

公开(公告)号：

CN109585543A

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

中野拓真

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2940 H01L21335

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

李铭;卢吉辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	公开	公开
2020-10-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20180928

共 50 条

[1]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN114649412A ,2022-06-21

[2]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

冈本康弘 ;

中山达峰 ;

井上隆 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN102931221B ,2013-02-13

[3]

半导体器件 [P].

冈本康宏 ;

井上隆 ;

中山达峰 ;

根贺亮平 ;

金泽全彰 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN103545352A ,2014-01-29

[4]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 ;

王志豪 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104218083B ,2014-12-17

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[6]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

加藤芳健 .

中国专利 :CN106663634B ,2017-05-10

[7]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

饭塚敏洋 ;

小山晋 ;

加藤芳健 .

中国专利 :CN106233437A ,2016-12-14

[8]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[9]

半导体器件以及形成该半导体器件的方法 [P].

刘敏秀 ;

孙润翼 .

中国专利 :CN104157649A ,2014-11-19

[10]

半导体器件及形成该半导体器件的方法 [P].

三笠典章 .

中国专利 :CN102800694A ,2012-11-28

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