半导体器件及形成该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210167176.7

申请日：

2012-05-25

公开(公告)号：

CN102800694A

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

三笠典章

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2906 H01L27108

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

梁晓广;关兆辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383319100 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012101671767 申请日:20120525
2015-03-25	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101712809065 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012101671767 申请公布日:20121128
2012-11-28	公开	公开
2013-09-25	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101662652072 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012101671767 变更事项:申请人变更前权利人:尔必达存储器株式会社变更后权利人:PS4拉斯口有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:卢森堡卢森堡市登记生效日:20130905

共 50 条

[1]

半导体器件及形成半导体器件的方法 [P].

李炅奂 ;

姜昌锡 ;

金容锡 ;

金森宏治 ;

金熙中 ;

林浚熙 .

中国专利 :CN110391332A ,2019-10-29

[2]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN114649412A ,2022-06-21

[3]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN109585543A ,2019-04-05

[4]

半导体器件以及形成该半导体器件的方法 [P].

刘敏秀 ;

孙润翼 .

中国专利 :CN104157649A ,2014-11-19

[5]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[6]

半导体器件及该半导体器件的制造方法 [P].

高光永 .

中国专利 :CN1992341A ,2007-07-04

[7]

半导体器件及形成该半导体器件的方法 [P].

杰弗里·P.·冈比诺 ;

阮山文 .

中国专利 :CN100461407C ,2007-11-21

[8]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

尤宏志 ;

陈建茂 .

中国专利 :CN109786365B ,2019-05-21

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨挺立 ;

蔡柏豪 ;

郑明达 ;

庄咏涵 ;

王学圣 .

中国专利 :CN114464545A ,2022-05-10

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850B ,2025-08-22

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