半导体器件及形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910306629.1

申请日：

2019-04-16

公开(公告)号：

CN110391332A

公开(公告)日：

2019-10-29

发明(设计)人：

李炅奂姜昌锡金容锡金森宏治金熙中林浚熙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L271157

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

倪斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-29	公开	公开
2021-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190416

共 50 条

[1]

半导体器件及形成该半导体器件的方法 [P].

三笠典章 .

中国专利 :CN102800694A ,2012-11-28

[2]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[3]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

尤宏志 ;

陈建茂 .

中国专利 :CN109786365B ,2019-05-21

[4]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨挺立 ;

蔡柏豪 ;

郑明达 ;

庄咏涵 ;

王学圣 .

中国专利 :CN114464545A ,2022-05-10

[5]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850B ,2025-08-22

[6]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850A ,2021-08-20

[7]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[8]

形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

贵岛正人 ;

针贝笃史 .

中国专利 :CN100501972C ,2006-09-13

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

S·拜尔 ;

M·A·博代亚 ;

黄佳艺 .

中国专利 :CN111009499A ,2020-04-14

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