形成半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610058926.1

申请日：

2006-03-08

公开(公告)号：

CN100501972C

公开(公告)日：

2006-09-13

发明(设计)人：

贵岛正人针贝笃史

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21822

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

王景刚;王冉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-04-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101657696880 IPC(主分类):H01L 21/822 专利号:ZL2006100589261 申请日:20060308 授权公告日:20090617 终止日期:20150308
2009-06-17	授权	授权
2015-04-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713960014 IPC(主分类):H01L 21/822 专利号:ZL2006100589261 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社理光变更后权利人:理光微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本大阪登记生效日:20150331
2006-09-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850B ,2025-08-22

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850A ,2021-08-20

[3]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

E.巴赫尔 ;

J.霍尔茨米勒 ;

H-J.舒尔策 ;

T.施魏因伯克 ;

J.维特博恩 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN104576711A ,2015-04-29

[4]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G·施密特 ;

E·勒尔彻 .

中国专利 :CN107093632A ,2017-08-25

[5]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

P·森 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN107068550A ,2017-08-18

[6]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨挺立 ;

蔡柏豪 ;

郑明达 ;

庄咏涵 ;

王学圣 .

中国专利 :CN114464545A ,2022-05-10

[7]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

苏圣凯 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN112992787B ,2025-09-23

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

苏圣凯 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN112992787A ,2021-06-18

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

S·拜尔 ;

M·A·博代亚 ;

黄佳艺 .

中国专利 :CN111009499A ,2020-04-14

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