半导体器件和用于形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410526538.6

申请日：

2014-10-09

公开(公告)号：

CN104576711A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

E.巴赫尔 J.霍尔茨米勒 H-J.舒尔策 T.施魏因伯克 J.维特博恩 M.聪德尔

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21266

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;徐红燕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611396076 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2014105265386 申请日:20141009
2019-09-17	授权	授权
2015-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G·施密特 ;

E·勒尔彻 .

中国专利 :CN107093632A ,2017-08-25

[2]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

P·森 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN107068550A ,2017-08-18

[3]

形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

贵岛正人 ;

针贝笃史 .

中国专利 :CN100501972C ,2006-09-13

[4]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

N·G·加纳戈纳 ;

M·耶利内克 ;

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

W·舒斯特雷德尔 .

中国专利 :CN106257628B ,2016-12-28

[5]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.耶利内克 ;

J.G.拉文 ;

H.厄夫纳 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN105609407B ,2016-05-25

[6]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

H·许斯肯 ;

A·毛德 ;

H-J·舒尔策 ;

W·勒斯纳 ;

H·舒尔策 .

中国专利 :CN104637940B ,2015-05-20

[7]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

J.P.康拉特 ;

W.贝格纳 ;

R.埃斯特夫 ;

R.盖斯贝格尔 ;

F.格拉泽 ;

J.希尔森贝克 ;

R.K.约施 ;

S.克拉姆普 ;

S.克里韦克 ;

G.卢皮纳 ;

楢桥浩 ;

A.韦尔克尔 ;

S.韦勒特 .

中国专利 :CN110364489A ,2019-10-22

[8]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

P·C·布兰特 ;

H-J·舒尔策 ;

A·R·施特格纳 .

中国专利 :CN105895699B ,2016-08-24

[9]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

F·希尔勒 .

中国专利 :CN106328710A ,2017-01-11

[10]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

A.马穆德 ;

Y.吕埃 ;

E.贝西诺巴斯克斯 ;

J.魏尔斯 .

中国专利 :CN107887382B ,2018-04-06

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