半导体器件以及形成该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310549339.2

申请日：

2013-11-07

公开(公告)号：

CN104157649A

公开(公告)日：

2014-11-19

发明(设计)人：

刘敏秀孙润翼

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L29423 H01L218234 H01L2128 H01L21762

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

顾红霞;何胜勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-19	授权	授权
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101661341438 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:2013105493392 申请日:20131107
2014-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和用于形成该半导体器件的方法 [P].

金正三 .

中国专利 :CN103066055A ,2013-04-24

[2]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 ;

王志豪 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104218083B ,2014-12-17

[3]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[4]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金辰寿 ;

林昌文 .

中国专利 :CN101414581A ,2009-04-22

[5]

半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P].

H-G·埃克尔 ;

M·米勒 .

中国专利 :CN105895700B ,2016-08-24

[6]

半导体器件以及包括该半导体器件的半导体封装 [P].

金知雄 ;

南润锡 ;

申解引 ;

吴世范 ;

李龙愚 ;

赵槿汇 ;

崔汉别 .

韩国专利 :CN120302713A ,2025-07-11

[7]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

尤宏志 ;

陈建茂 .

中国专利 :CN109786365B ,2019-05-21

[8]

形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

安东·毛德 ;

英戈·穆里 ;

约翰内斯·鲍姆加特尔 ;

伊里斯·莫德 ;

弗兰克·迪特尔·普菲尔施 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 .

中国专利 :CN107039502B ,2017-08-11

[9]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

吴家扬 ;

张简旭珂 ;

王廷君 ;

游咏晞 .

中国专利 :CN110783410B ,2024-02-06

[10]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

吴家扬 ;

张简旭珂 ;

王廷君 ;

游咏晞 .

中国专利 :CN110783410A ,2020-02-11

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