半导体器件及形成该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710102309.1

申请日：

2007-04-27

公开(公告)号：

CN100461407C

公开(公告)日：

2007-11-21

发明(设计)人：

杰弗里·P.·冈比诺阮山文

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2700

IPC分类号：

H01L2170

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/00 登记生效日:20171123 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2007-11-21	公开	公开
2017-12-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/00 登记生效日:20171123 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约
2009-02-11	授权	授权
2008-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及形成该半导体器件的方法 [P].

三笠典章 .

中国专利 :CN102800694A ,2012-11-28

[2]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN114649412A ,2022-06-21

[3]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN109585543A ,2019-04-05

[4]

半导体器件和形成该半导体器件的方法 [P].

李钟振 ;

金炳勋 ;

郑元根 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN120813043A ,2025-10-17

[5]

半导体器件和形成该半导体器件的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN111341647A ,2020-06-26

[6]

半导体器件和形成该半导体器件的方法 [P].

戴维·W.·亚伯拉罕 ;

斯图亚特·S.·帕金 ;

丹尼尔·C.·沃尔里奇 ;

斯蒂芬·L.·布朗 .

中国专利 :CN101090129A ,2007-12-19

[7]

半导体器件以及形成该半导体器件的方法 [P].

刘敏秀 ;

孙润翼 .

中国专利 :CN104157649A ,2014-11-19

[8]

半导体器件及形成半导体器件的方法 [P].

施惟凯 ;

王国梁 .

中国专利 :CN113690235B ,2025-07-22

[9]

半导体器件及形成半导体器件的方法 [P].

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

安东·毛德 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 .

中国专利 :CN102956680A ,2013-03-06

[10]

形成半导体器件的方法及半导体器件 [P].

黄文宏 ;

游国丰 ;

陈建豪 ;

廖善美 ;

王哲夫 ;

詹咏翔 .

中国专利 :CN113284950A ,2021-08-20

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