半导体器件和形成该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510356184.3

申请日：

2025-03-25

公开(公告)号：

CN120813043A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

李钟振金炳勋郑元根徐康一

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10D84/83

IPC分类号：

H10D84/01

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

马晓蒙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和形成该半导体器件的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN111341647A ,2020-06-26

[2]

半导体器件和形成该半导体器件的方法 [P].

戴维·W.·亚伯拉罕 ;

斯图亚特·S.·帕金 ;

丹尼尔·C.·沃尔里奇 ;

斯蒂芬·L.·布朗 .

中国专利 :CN101090129A ,2007-12-19

[3]

半导体器件和用于形成该半导体器件的方法 [P].

金正三 .

中国专利 :CN103066055A ,2013-04-24

[4]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN115579341A ,2023-01-06

[5]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN112018061A ,2020-12-01

[6]

半导体器件及形成该半导体器件的方法 [P].

三笠典章 .

中国专利 :CN102800694A ,2012-11-28

[7]

半导体器件及形成该半导体器件的方法 [P].

杰弗里·P.·冈比诺 ;

阮山文 .

中国专利 :CN100461407C ,2007-11-21

[8]

半导体器件以及形成该半导体器件的方法 [P].

刘敏秀 ;

孙润翼 .

中国专利 :CN104157649A ,2014-11-19

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

何嘉玮 ;

徐俊伟 ;

沈稘翔 ;

刘启人 ;

林易生 ;

郑仰钧 ;

洪伟伦 ;

陈亮光 ;

陈科维 .

中国专利 :CN110970392B ,2020-04-07

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112542422B ,2025-09-26

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